中芯国际正式出样40nmReRAM芯片

作者:亚搏体育app官网入口发布时间:2022-08-19 21:56

本文摘要:目前在下一代存储芯片的研发当中,除了3DXPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。2016年3月,Crossbar公司宣告与中芯国际达成协议合作,发力中国市场。其中,中芯国际将使用自家的40nmCMOS试产ReRAM芯片。 近日,两者合作的结晶再一问世,中芯国际月出样40nm工艺的ReRAM芯片。

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目前在下一代存储芯片的研发当中,除了3DXPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。2016年3月,Crossbar公司宣告与中芯国际达成协议合作,发力中国市场。其中,中芯国际将使用自家的40nmCMOS试产ReRAM芯片。

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近日,两者合作的结晶再一问世,中芯国际月出样40nm工艺的ReRAM芯片。据介绍,这种芯片比NAND芯片性能更加强劲,密度比DRAM内存低40倍,加载速度快100倍,载入速度快1000倍,耐久度低1000倍,单芯片(200mm2左右)才可构建TB级存储,还不具备结构非常简单、更容易生产等优点。另外,按计划更加先进设备的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。


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